В схемах на рис. 3-13 гетеродины выполнены с индуктивной обратной связью. Напряжение гетеродина на транзисторе Т2 в обоих случаях подается в цепь эмиттера транзистора Т1 смесителя. Величина необходимого напряжения гетеродина для получения наибольшего усиления преобразователя устанавливается изменением величины сопротивления R1 а в схеме на рис. 3-13, а — также подбором места подключения эмиттера транзистора Т1 к катушке L3.
Рис. 3-13. Схемы преобразователей частоты на двух транзисторах.
а — автотрансформаторная связь гетеродина с преобразователем; б — трансформаторная связь гетеродина с преобразователем.
Усиление по напряжению преобразователя частоты на двух транзисторах равно 10—50. Тип транзистора определяется диапазоном частот и промежуточной частотой приемника. Так, в диапазоне ДВ при промежуточной частоте 110 кгц высшая частота гетеродина 520 кгц, а при промежуточной частоте 465 кгц — 885 кгц. Если приемник имеет только этот диапазон, то в гетеродине и смесителе можно применить транзисторы П1Ж, П6Б, П6В, П6Г, П6Д, П14 или П15.
Если же приемник имеет и средневолновый диапазон, то при промежуточной частоте 110 кгц высшая частота гетеродина равна 1 710 кгц и при промежуточной частоте 465 кгц — 2 065 кгц. В этом случае гетеродин и смеситель могут быть выполнены на транзисторах П6Г, П6Д, П15, П401—П403.
Приводим величины токов коллекторов транзисторов в схемах рис. 3-13 при указанных на этих схемах питающих напряжениях:
Тип транзистора...........П6Г—П6Д; П401—П403 П14— П15
Ток коллектора гетеродина, ма. . 1—2 - 1,5—3
Ток коллектора смесителя, ма . . 0,2—0,5 0,2—0,5
