RadiobookA

радиолюбительский портал

 
Главная » Измерения » Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощности


Топ 10!

Календарь обновлений

«    Декабрь 2024    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031 

Случайная публикация

  • Радиочастотный искатель подслушивающих устройств...
    Сегодня всё чаще можно столкнуться с применением в различных целях радиомикрофонов и телефонных радиопрослушивающих устройств. Иногда необходима уверенность в том, что разговор в квартире или офисе
  • Морзянка на самообслуживании...
    Радиолюбители «из глубинки» удрученно сетуют в своих письмах в редакцию: мол, смастерить-спаять в наше время довольно-таки замысловатую конструкцию подчас гораздо легче, чем достать, к
  • Фотореле ФР-2...
    Фотореле промышленного исполнения типа ФР-2 предназначено для использования в устройствах автоматики, где необходимо включать/отключать нагрузку в зависимости от уровня освещенности.
  • Вторичное открытие...
    Много препятствий и затруднений преодолевал замечательный русский физик Василий Петров, изучая гальваническое электричество. Тем временем ученые Европы, окруженные вниманием специальных обществ и
  • «Зеленый» источник питания серии GWS с регулируемым выходом от TDK-LAMBDA...
    Компания TDK-Lambda представила новую серию источников питания GWS. Выполняя требования директивы энергосбережения в источниках питания, в этой серии использованы инновационные методы проектирования.
  • ТА-1138...
    Телефонный аппарат ТА-1138...
  • Универсальный гетеродинный индикатор резонанса...
    Для налаживания и контроля коротковолновой и ультракоротковолновой аппаратуры широко применяются гетеродинные индикаторы резонанса (ГИР), которые представляют собой автогенераторы колебаний высоко...

 

Измерения

 
 

Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощности

 
 
 

Электрическая схема прибора для подбора мощных ВЧ транзисторов по постоянному току показана на рисунке 1 и фактически состоит из мультиметра РА1, переключаемого из цепи коллектора в цепь базы с помощью SA1 (П2К), набора резисторов, источника питания и гибких выводов с зажимами типа "крокодил" для подключения исследуемого транзистора VT1.





Поводом для написания этой заметки послужила статья Александра Тарасова (UT2FW) "Портативный KB трансивер" [1], где описывается двухтактный усилитель мощности на мощных биполярных транзисторах КТ965 (КТ966, КТ967) и частые веерные отключения электроэнергии у автора, что заставляет применять 12-вольтовые аккумуляторы. Как отмечает автор, что выходные транзисторы требуют обязательного подбора пары. Причем, только при малых токах мощные транзисторы подобрать не удается. Характеристики транзисторов необходимо сравнивать хотя бы при токах коллектора 50 мА, 0,3А и 1А.

Электрическая схема прибора для подбора мощных ВЧ транзисторов по постоянному току показана на рисунке 1 и фактически состоит из мультиметра РА1, переключаемого из цепи коллектора в цепь базы с помощью SA1 (П2К), набора резисторов, источника питания и гибких выводов с зажимами типа "крокодил" для подключения исследуемого транзистора VT1.

 





 

Рис.1.

Методика измерения параметров следующая: в положении переключателя SA1 "Iк" переменным резистором R6 и тумблером SA2 задаются по очереди токи коллектора транзистора 50 мА, 0,3А и 1А. После каждой установки тока коллектора переводят SA1 в положение "16" и измеряют ток базы, соответствующий заданному коллекторному току.

Переключение SA1 необходимо производить, отключив питание с помощью SA3). Можно задать и большее количество точек измерения, тем самым точнее подобрать пару транзисторов. По результатам измерений отбираются пары транзисторов с минимальным разбросом тока базы.

Источник питания должен применяться достаточно мощный - это могут быть аккумуляторы или несколько включенных последовательно и параллельно элементов 1,5B. Конечно, можно применить и сетевой источник, но тогда прибор теряет свою портативность. Данная схема предназначена для измерения n-р-n транзисторов, хотя не представляет трудности, изменив полярность питания, переделать ее и под p-n-р транзисторы.

В. Башкатов, (US0IZ)

Литература:

1.РХ - №12/1999, №1-3/2000


Здесь Ваше мнение имеет значение  -
 поставьте вашу оценку (оценили - 4 раз)
 
 


 
 
 
Смотри также:
 
   

 Принт-версия

 


{links1} {links2} {links3} {links4} {links}