Благодаря использованию мощных составных транзисторов (Дарлингтона) TIP142, TIP147, которые на схеме обозначены Т4 и Т5, удалось создать достаточно мощный усилитель всего лишь на 5-ти транзисторах, причём 3 из них - маломощные.
Схема:
Выходной каскад усилителя работает в классе B. Напряжение смещения на базах транзисторов определяется с помощью двух диодов D1 и D2. Входной каскад в виде дифференциального включения пары T1 и T2 замыкает цепь отрицательной обратной связи по переменному току.
При сборке усилителя следует обратить особое внимание на расположение элементов на печатной плате, чтобы исключить самовозбуждение усилителя. Самовозбуждение может привести к повреждению выходных транзисторов и, как следствие, к выводу из строя акустической системы.
Заявленная выходная мощность усилителя может достигать 100 ватт при напряжении питания +/- 45 вольт. Все номиналы радиодеталей проставлены на схеме выше. Мощности значимых резисторов указаны, кроме R9 и R10 – смело ставьте от 3 до 5 Вт. В случае проблем при первом запуске попробуйте добавить малое сопротивление между диодами D1 и D2 для регулировки постоянного тока (7 мВ через R9 и R10 будет оптимально). Если слишком много, то попробуйте разные диоды.
Схема публикуется по принципу: увидел – собрал. Удачи всем в повторении схемы на практике!
http://спаять.рф/unch-i-zvukotekhnika/prostojj-usilitel-na-100-vatt.html
Основные параметры транзистора TIP142 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP142 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
|
Pc max
|
Ucb max
|
Uce max
|
Ueb max
|
Ic max
|
Tj max, °C
|
Ft max
|
Cc tip
|
Hfe
|
|
125W
|
100V
|
100V
|
5V
|
10A
|
150°C
|
-
|
-
|
500MIN
|
Схемы транзистора TIP142
|
Общий вид транзистора TIP142.
|
Цоколевка транзистора TIP142.
|
|
|
|
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Основные параметры транзистора TIP147 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора TIP147 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
|
Pc max
|
Ucb max
|
Uce max
|
Ueb max
|
Ic max
|
Tj max, °C
|
Ft max
|
Cc tip
|
Hfe
|
|
125W
|
100V
|
100V
|
5V
|
10A
|
150°C
|
-
|
-
|
500MIN
|
Схемы транзистора TIP147
|
Общий вид транзистора TIP147.
|
Цоколевка транзистора TIP147.
|
|
|
|
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Техническая документация
TIP147 datasheet
doc000315064.pdf [160,52 Kb] (cкачиваний: 1167)
