Благодаря использованию мощных составных транзисторов (Дарлингтона) TIP142, TIP147, которые на схеме обозначены Т4 и Т5, удалось создать достаточно мощный усилитель всего лишь на 5-ти транзисторах, причём 3 из них — маломощные.
Благодаря использованию мощных составных транзисторов (Дарлингтона) TIP142, TIP147, которые на схеме обозначены Т4 и Т5, удалось создать достаточно мощный усилитель всего лишь на 5-ти транзисторах, причём 3 из них — маломощные.
Схема:
Выходной каскад усилителя работает в классе B. Напряжение смещения на базах транзисторов определяется с помощью двух диодов D1 и D2. Входной каскад в виде дифференциального включения пары T1 и T2 замыкает цепь отрицательной обратной связи по переменному току.
При сборке усилителя следует обратить особое внимание на расположение элементов на печатной плате, чтобы исключить самовозбуждение усилителя. Самовозбуждение может привести к повреждению выходных транзисторов и, как следствие, к выводу из строя акустической системы.
Заявленная выходная мощность усилителя может достигать 100 ватт при напряжении питания +/- 45 вольт. Все номиналы радиодеталей проставлены на схеме выше. Мощности значимых резисторов указаны, кроме R9 и R10 – смело ставьте от 3 до 5 Вт. В случае проблем при первом запуске попробуйте добавить малое сопротивление между диодами D1 и D2 для регулировки постоянного тока (7 мВ через R9 и R10 будет оптимально). Если слишком много, то попробуйте разные диоды.
Схема публикуется по принципу: увидел – собрал. Удачи всем в повторении схемы на практике!
http://спаять.рф/unch-i-zvukotekhnika/prostojj-usilitel-na-100-vatt.html
Основные параметры транзистора TIP142 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP142 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 125W | 100V | 100V | 5V | 10A | 150°C | — | — | 500MIN |
Схемы транзистора TIP142
| Общий вид транзистора TIP142. | Цоколевка транзистора TIP142. |
 |
 |
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Основные параметры транзистора TIP147 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора TIP147 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 125W | 100V | 100V | 5V | 10A | 150°C | — | — | 500MIN |
Схемы транзистора TIP147
| Общий вид транзистора TIP147. | Цоколевка транзистора TIP147. |
 |
 |
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Техническая документация
TIP147 datasheet