RadiobookA

радиолюбительский портал

 
Главная » Усилители » Простой усилитель на 100 ватт


Топ 10!

Календарь обновлений

«    Июль 2019    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031 

Случайная публикация

  • Автомобильный усилитель слабого сигнала GSM 900 МГц...
    GSM-усилитель слабого сигнала CG30 предназначен для работы в стандарте сотовой связи 900 МГц и может использоваться для работы как в автомобилях, так и на стационарных объектах. Даже при большом
  • Намоточный станок...
    Станок прост по конструкции и имеет небольшие раз­меры. Станок предназначен для намотки контурных ка­тушек типа «Универсалы», а также катушек в броневых сердечниках на стандартных
  • Индикатор занятой телефонной линии...
    Если в квартире имеется несколько телефонных аппаратов (ТА) в разных комнатах, подключенных к одной телефонной линии, то данное устройство вам просто необходимо.
  • Радиопередатчик с кварцевой стабилизацией диапазона 140-150 МГц...
    Радиопередатчик работает в диапазоне частот 140-150 Мгц с узкополосной частотной модуляцией.
  • Взгляд насквозь...
    Рентген собирался проверить наблюдения Пауля Ленарда над пронизыванием картона катодными лучами. С этой целью он сделал из тонкого черного картона ящик, которых можно было наглухо закрыть круксову
  • Гибка органического стекла...
    Для гибки органического стекла удобно использовать нагретый паяльник с прямым стержнем. Перед работой стержень тщательно очищают от окалины, поскольку она может внедриться в материал в месте прогрева
  • Упрощенный расчет выпрямителя...
    Выпрямители блоков питания транзисторной аппаратуры радиолюбители обычно строят по схеме, изображенной на рис. 81.

 

Усилители

 
 

Простой усилитель на 100 ватт

 
 
 

Благодаря использованию мощных составных транзисторов (Дарлингтона) TIP142, TIP147, которые на схеме обозначены Т4 и Т5, удалось создать достаточно мощный усилитель всего лишь на 5-ти транзисторах, причём 3 из них - маломощные.





Благодаря использованию мощных составных транзисторов (Дарлингтона) TIP142, TIP147, которые на схеме обозначены Т4 и Т5, удалось создать достаточно мощный усилитель всего лишь на 5-ти транзисторах, причём 3 из них - маломощные.

Схема:

http://спаять.рф/wp-content/uploads/2014/08/simple-100-watt-amplifier.jpg

Выходной каскад усилителя работает в классе B. Напряжение смещения на базах транзисторов определяется с помощью двух диодов D1 и D2. Входной каскад в виде дифференциального включения пары T1 и T2 замыкает цепь отрицательной обратной связи по переменному току.

При сборке усилителя следует обратить особое внимание на расположение элементов на печатной плате, чтобы исключить самовозбуждение усилителя. Самовозбуждение может привести к повреждению выходных транзисторов и, как следствие, к выводу из строя акустической системы.

Заявленная выходная мощность усилителя может достигать 100 ватт при напряжении питания +/- 45 вольт. Все номиналы радиодеталей проставлены на схеме выше. Мощности значимых резисторов указаны, кроме R9 и R10 – смело ставьте от 3 до 5 Вт. В случае проблем при первом запуске попробуйте добавить малое сопротивление между диодами D1 и D2 для регулировки постоянного тока (7 мВ через R9 и R10 будет оптимально). Если слишком много, то попробуйте разные диоды.

Схема публикуется по принципу: увидел – собрал. Удачи всем в повторении схемы на практике!

http://спаять.рф/unch-i-zvukotekhnika/prostojj-usilitel-na-100-vatt.html

Основные параметры транзистора TIP142 биполярного низкочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP142 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max

Ucb max

Uce max

Ueb max

Ic max

Tj max, °C

Ft max

Cc tip

Hfe

125W

100V

100V

5V

10A

150°C

-

-

500MIN

Схемы транзистора TIP142

Общий вид транзистора TIP142.

Цоколевка транзистора TIP142.

Общий вид транзистора TIP142

Цоколевка транзистора TIP142

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Основные параметры транзистора TIP147 биполярного низкочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора TIP147 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max

Ucb max

Uce max

Ueb max

Ic max

Tj max, °C

Ft max

Cc tip

Hfe

125W

100V

100V

5V

10A

150°C

-

-

500MIN

Схемы транзистора TIP147

Общий вид транзистора TIP147.

Цоколевка транзистора TIP147.

Общий вид транзистора TIP147

Цоколевка транзистора TIP147

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Техническая документация

TIP147 datasheet

doc000315064.pdf [160,52 Kb] (cкачиваний: 795)


Здесь Ваше мнение имеет значение  -
 поставьте вашу оценку (оценили - 6 раз)
 
 


 
 
 
Смотри также:
 
   

 Принт-версия