Простой усилитель на 100 ватт

Благодаря использованию мощных составных транзисторов (Дарлингтона) TIP142, TIP147, которые на схеме обозначены Т4 и Т5, удалось создать достаточно мощный усилитель всего лишь на 5-ти транзисторах, причём 3 из них - маломощные.

Схема:

Выходной каскад усилителя работает в классе B. Напряжение смещения на базах транзисторов определяется с помощью двух диодов D1 и D2. Входной каскад в виде дифференциального включения пары T1 и T2 замыкает цепь отрицательной обратной связи по переменному току.

При сборке усилителя следует обратить особое внимание на расположение элементов на печатной плате, чтобы исключить самовозбуждение усилителя. Самовозбуждение может привести к повреждению выходных транзисторов и, как следствие, к выводу из строя акустической системы.

Заявленная выходная мощность усилителя может достигать 100 ватт при напряжении питания +/- 45 вольт. Все номиналы радиодеталей проставлены на схеме выше. Мощности значимых резисторов указаны, кроме R9 и R10 – смело ставьте от 3 до 5 Вт. В случае проблем при первом запуске попробуйте добавить малое сопротивление между диодами D1 и D2 для регулировки постоянного тока (7 мВ через R9 и R10 будет оптимально). Если слишком много, то попробуйте разные диоды.

Схема публикуется по принципу: увидел – собрал. Удачи всем в повторении схемы на практике!

http://спаять.рф/unch-i-zvukotekhnika/prostojj-usilitel-na-100-vatt.html

Основные параметры транзистора TIP142 биполярного низкочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP142 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
125W	100V	100V	5V	10A	150°C	-	-	500MIN

Схемы транзистора TIP142

Общий вид транзистора TIP142.	Цоколевка транзистора TIP142.

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Основные параметры транзистора TIP147 биполярного низкочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора TIP147 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
125W	100V	100V	5V	10A	150°C	-	-	500MIN

Схемы транзистора TIP147

Общий вид транзистора TIP147.	Цоколевка транзистора TIP147.

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Техническая документация

TIP147 datasheet

doc000315064.pdf [160,52 Kb] (cкачиваний: 1165)