RadiobookA

радиолюбительский портал

 
Главная » Справочники » Основные системы условных обозначений зарубежных полупроводниковых приборов


Топ 10!

Календарь обновлений

«    Сентябрь 2018    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930

Случайная публикация

  • Практическая схемотехника. 450 полезных схем радиолюбителям. Книга 1...
    Сборник схем, сгруппированных по основным направлениям современной радиоэлектроники, предназначен для ознакомления начинающих и подготовленных радиолюбителей с основами создания узлов и аналогов
  • VEF RITA-201...
    Телефонный аппарат VEF Rita-201, Guanta-202, Inta-203...
  • Микромощная радиостанция с включением голосом...
    Передатчик радиостанции Его принципиальная схема изображена на рис. 1. Задающий генератор выполнен на транзисторе VT5. Частота генерации fK (частота канала, в котором будет вестись радиообмен)
  • TA TEL 02/3 SR...
    Телефонный аппарат TA TEL 02/3 SR...
  • Однотактный ламповый усилитель мощности ЗЧ или High-End для начинающих...
    В последнее время вновь получили распространение ламповые усилители мощности ЗЧ. Во многом это произошло благодаря популярности этого вида аудиотехники в кругах ценителей высококачественного
  • Проверка деталей стрелочным омметром...
    Без измерительного прибора вам не обойтись, так как придется проверять сопротивление резисторов, напряжения и тока в разных цепях конструкций. Измерительный прибор, в народе - омметр, авометр
  • День радио...
    День радио — это праздник социалистической науки и культуры, смотр наших достижений в развитии радиовещания, телевидения и радиофикации, радиотехники и радиолюбительства. В этот день советский народ

 

Справочники

 
 

Основные системы условных обозначений зарубежных полупроводниковых приборов

 
 
 

1. Система Объединенного Технического Совета по электронным приборам США (JEDEC); называется также Североамериканской системой. Первые два индекса указывают тип полупроводникового прибора: 1N— дио...





1. Система Объединенного Технического Совета по электронным приборам США (JEDEC); называется также Североамериканской системой. Первые два индекса указывают тип полупроводникового прибора: 1N— диод, 2N—транзистор. Далее следует многозначный порядковый номер, под которым зарегистрирован прибор в Ассоциации предприятий электронной промышленности (Е1А). Приставка JAN или J указывает, что прибор применяется в специальной аппаратуре. Система распространена в США, Канаде, Западной Европе и в Японии.


2. Система Международной Ассоциации электронной промышленности Pro Electron — распространена в Западной Европе и в Японии. Условное обозначение имеет пятизначный или шестизначный буквенно-цифровой индекс. Первые знаки — буквы, указывают предназначение, материал, из которого делается прибор, и его регистрационный номер. Структура условного обозначения следующая. Первая буква обозначает материал прибора, а именно: А—германий; В — кремний; С—арсенид галлия. Вторая буква означает: А — детекторный диод; В - варикап; С — низкочастотный транзистор малой мощности; D—низкочастотный транзистор большой мощности; F — высокочастотный транзистор малой мощности; L — высокочастотный транзистор большой мощности; Р — фотодиод или фототранзистор; Z — стабилитрон.


Приборы широкого применения имеют последующий трехзначный порядковый регистрационный номер. Приборы специального назначения имеют третью букву Z или Y, X и двузначный порядковый регистрационный номер. После цифровых индексов могут стоять дополнительные буквенные индексы (обычно буквы К или Р), означающие приборы, специально подобранные для работы в двухтактных оконечных каскадах.


3. Старая Европейская система. Первый индекс — буква О означает, что прибор полупроводниковый. Последующие буквы указывают назначение прибора: А — диод, АР — фотодиод; Z — стабилитрон, С — транзистор, СР—фототранзистор; RP — фототранзистор. Последующий цифровой индекс указывает порядковый регистрационный номер.


4. Японская национальная система. Первые два индекса раскрывают тип прибора: 1S — диод, 2S— транзистор. Последующая буква указывает основные свойства транзистора: А — высокочастотный р-п-р; В — низкочастотный р-п-р; С — высокочастотный п-р-п; D — низкочастотный п-р-п; F — тиристор.


Распространена в Японии.


5. Система фирмы Mistral. Распространена во Франции, Румынии, Болгарии. Первые два индекса обозначают полупроводниковый прибор — SF. Следующая буква обозначает три прибора; D — диод, Т — транзистор, Р — мощный диод. Цифровой трехзначный номер указывает порядковый регистрационный номер прибора.


В.А. Васильев. Зарубежные радиолюбительские конструкции

Васильев В. А. Зарубежные радиолюбительские конструкции. М., «энергия», 1977.


Здесь Ваше мнение имеет значение  -
 поставьте вашу оценку (оценили - 2 раз)
 
 



Ключевые теги: диод, низкочастотный, мощность

 
 
 
Смотри также:
 
   

 Принт-версия