STMicro анонсировала новую серию транзисторов с технологией STripFET

Использование последнего поколения технологии STripFETTM VI DeepGATETM позволяет компании достичь снижения сопротивления на 20% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов и, как результат, использовать небольшие корпуса для поверхностного монтажа при разработке импульсных регуляторов напряжения и DC/DC-конвертеров. Достоинством этой технологии является также очень низкий заряд затвора, обеспечивающий высокую частоту переключения и использование пассивных компонентов обвязки с меньшими размерами.

Широкий выбор корпусов, включающих SO8, DPAK, 5x6 мм PowerFLAT, 3,3x3,3 мм PowerFLAT, PolarPAK, IPAK и SOT23-6L предоставляет большие возможности разработчикам в создании малогабаритных высокоэффективных источников питания.

В настоящее время доступны образцы транзисторов STL150N3LLH6 (1,6 мОм) в корпусе PowerFlat и STD150N3LLH6 в корпусе DPAK (2,4 мОм), а серийное производство предполагается начать в третьем квартале 2009 года.

http://www.compel.ru/news/producers/2009042305/ml