Компания Texas Instruments (TI) выпустила новое семейство MOSFET транзисторов DualCool™ NexFET™ со сверхнизким зарядом затвора (от 6.7нК) и охлаждением с нижней и верхней сторон корпуса. Основная область применения этих транзисторов – DC/DC преобразователи с высокой частотой переключения и выходным током до 35А.
В усилитель введены регуляторы тембра, позволяющие изменять усиление на частотах 100 Гц и 7,5 кГц примерно на + -20 дБ. Усилитель собран на пяти транзисторах. Входной сигнал усиливается по напряжению каскадами на транзисторах V1, V2 и через эмиттерный повторитель на транзисторе V3 подается на двухтактный выходной каскад, собранный на транзисторах V5, V6 разной структуры. Нагрузка - динамическая головка В1.
Принципиальная схема первого варианта усилителя показана на первом рисунке.